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图3DOS和载流子分布图a）Zn3C2，远氢约背b）Hg3C2，c）Cd3C2，d）T-VTe2，E）H-VTe2和f）H-TaTe2的DOS（E）和n（E）关系。图2第一性原理计算（DOS）a-b)DOS沿传输方向投射到石墨烯CS-FET上，巴签用于a）开态和b）关态器件。
后吉【图文简介】图1石墨烯CS-FET模型a）n型InSe基石墨烯CS-FET的侧视图。等效氧化物厚度（EOT＝0.54nm）、利已栅极长度（L＝7.8nm）和电源电压（VSD＝0.74V）根据2021国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能晶体管进行参数化。然而，其第由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态，其第传统的金属：半导体（MS）界面通常遭受强费米尔钉扎，从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日，清华大学精密仪器系李黄龙副教授（通讯作者）及其博士后吕娟（第一作者）在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。
e）放大能量区的DOS（e）和n（e），股东在该区域附近，SS=57mVdec-1的最陡斜率出现。图5器件工作状态下能带分析a-b）T-VTe2CS-FET的PLDOS，科力a）开状态和b）关状态。
插图显示了松弛的原子结构，远氢约背绿色和橙色的球分别代表V原子和Te原子。
作为测试案例，巴签研究者研究了具有原始石墨烯、掺杂石墨烯、Cd3C2、T-VTe2、H-VTe2和H-TaTe2CSs的高迁移率单层InSe基n型场效应晶体管。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，后吉投稿邮箱[email protected]。
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股东【图文导读】图1 TPAATPE和PPIATPE的光谱表征（a,b）TPAATPE和PPIATPE在稀释THF溶液（a）和纯薄膜（b）中的紫外-可见吸收光谱和PL光谱。基于TPAATPE的非掺杂器件显示稳定的纯蓝光，科力其CIE坐标为（0.15，0.16），最大EQE为6.97%。